위 이미지는 패키지 형상 참고용입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트를 확인해 주세요.
KPM11N60F
- 제조사
- KEC
- 카테고리
- MOSFET
- 제품 스펙
- N-Ch MOSFET · 600V · 11A · 39.1W
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- 제조사
- KEC
- 패키지
- TO-220IS(1)
- 종류
- N-Ch MOSFET
- 정격(전압)
- 600V
- 전류
- 11A
- 전력
- 39.1W
- hFE / Vgs(th)
- Vgs(th) 2~4V
- RDS(on)
- 0.38Ω @10V
데이터 시트
대체·유사 부품
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견적수령 및 출고 안내
1. 견적 요청
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2. 견적서 수령
견적서를 통해 맞춤 견적, 납기일 및 구매 가능 수량을 확인하실 수 있습니다.
3. 결제 진행
견적서 확인 후, 안내에 따라 결제를 진행해 주시면 발주가 시작됩니다.
4. 부품 수령
부품 검수 후 출고하며, 안내드린 납기일에 맞춰 받아보실 수 있습니다.
※ 정확한 납기와 배송 조건은 견적서에 개별로 안내해 드립니다. 거래·배송 조건 자세히 보기
공급 및 견적 상세 안내
공급 가능 수량
즉시 공급 가능한 수량을 우선 제안드리며, 추가 수량이 필요한 경우 국내외 공급망을 통해 요청 수량 전체 확보를 지원합니다.
수량별 단가
주문 수량과 희망 납기 등 조건에 따라 맞춤 견적으로 제공되며, 대량 발주 시 추가 우대 조건 적용이 가능합니다.
MOQ·포장
구매 진행이 가능한 MOQ와 Cut Tape, Reel 등 공급·포장 조건을 확인후 이메일로 견적서와 함께 안내드립니다.
예상 납기
평균 납기는 1주일 이내이며, 실제 납기는 주문 시점의 수급 상황에 따라 달라질 수 있습니다. 정확한 납기일은 견적서에서 확인해 주세요.
기술 정보
KPM11N60F는 KEC의 MOSFET입니다.
KPM11N60F 부품의 다른 표기
사용 시 고려사항
- ·게이트 문턱 전압(Vgs(th))은 2~4V입니다. 구동 전압이 이보다 충분히 높아야 완전히 켜지므로, 로직 레벨(3.3V·5V) 구동 여부를 확인하는 것이 좋습니다.
- ·온저항(RDS(on))은 0.38Ω(@10V)입니다. 도통 시 이 저항에서 손실이 발생하므로, 11A를 흘릴 경우 계산상 약 46W의 도통 손실이 생깁니다.
- ·드레인-소스 전압(VDSS)은 600V, 드레인 전류는 11A입니다. 실제 회로에서는 서지와 온도를 고려해 정격의 60~70% 이하로 사용하는 경우가 많습니다.
- ·방열 탭이 있는 전력용 패키지라, 히트싱크·기판 방열 설계를 함께 검토하는 경우가 많습니다.
정확한 사양은 제조사 데이터시트를 확인해 주세요.
주요 응용 분야
MOSFET은 게이트 전압으로 전류를 제어하는 부품으로, 손실이 작아 전원 스위칭에 널리 쓰입니다.
N채널이라 온저항이 낮아 로우사이드 전원 스위칭에 주로 쓰입니다.
대전류 영역이라 전원 스위칭처럼 방열이 중요한 자리에 쓰이는 편입니다.
자주 묻는 질문
MOSFET과 BJT(일반 트랜지스터)는 무엇이 다른가요?
- 이 제품은 MOSFET입니다. BJT는 베이스에 흘리는 전류로 제어하는 전류 구동 소자이고, MOSFET은 게이트에 거는 전압으로 제어하는 전압 구동 소자라 구동 회로가 단순하고 대기 손실이 작습니다. 도통 손실도 기준이 달라 BJT는 포화 전압(VCE(sat)), MOSFET은 온저항(RDS(on))으로 봅니다. 저속·소신호 증폭에는 BJT가, 고속 전원 스위칭에는 MOSFET이 쓰이는 경우가 많습니다.
온저항(RDS(on))은 왜 중요한가요?
- MOSFET이 완전히 켜졌을 때 드레인-소스 사이에 남는 저항이 온저항(RDS(on))입니다. 전류가 흐르면 이 저항에서 I²R 만큼 열이 나므로, 온저항이 낮을수록 도통 손실과 발열이 줄어듭니다. 게이트 전압 조건에 따라 값이 달라져 데이터시트의 측정 조건과 함께 보는 것이 좋습니다. 이 제품은 0.38Ω(@10V)입니다.
게이트 전압은 얼마를 줘야 하나요?
- 게이트 문턱 전압(Vgs(th))은 전류가 흐르기 시작하는 경계값일 뿐, 그 값만 걸어서는 완전히 켜지지 않습니다. 데이터시트의 온저항 측정 조건(예: VGS=10V, 로직 레벨 제품은 4.5V)이 실제 권장 구동 전압에 가깝습니다. 이 제품의 Vgs(th)는 2~4V입니다.
트랜지스터 규격표는 어떻게 보나요?
- 정격 전압(VDSS)·정격 전류(ID)·허용 손실(PD)·온저항(RDS(on)) 순서로 보는 것이 일반적입니다. 전압·전류는 회로의 최대치보다 여유 있게, 온저항은 도통 손실과 발열을 좌우하므로 게이트 구동 전압 조건과 함께 확인합니다.
이 부품의 극성(핀 배열)은 어떻게 확인하나요?
- 핀 배열은 패키지 종류마다 다르고, 같은 패키지라도 품번에 따라 다를 수 있습니다. 몸체의 인쇄면을 기준으로 데이터시트의 핀 배열 그림과 대조하는 것이 가장 확실하며, 실장 전에 멀티미터의 다이오드 모드로 접합 방향을 확인하는 방법도 널리 쓰입니다.
제조사 및 카테고리
제조사 : KEC는 한국의 반도체 제조사로 다이오드·트랜지스터·TVS 등 개별소자를 주로 공급합니다.
카테고리 : MOSFET은 게이트 전압으로 전류를 제어하는 전압 구동형 트랜지스터입니다. N채널·P채널 구분과 함께 내압, 도통 저항, 게이트 문턱 전압을 보고 고르는 경우가 많습니다. 같은 MOSFET 카테고리의 다른 규격도 함께 비교해 보실 수 있습니다.
