KML0D4N20V

제조사

KEC

패키지

VSM

종류

N-Ch MOSFET

정격(전압)

20V

전류

400mA

전력

150mW

hFE / Vgs(th)

Vgs(th) 0.45~1V

RDS(on)

0.7Ω @4.5V / 0.85Ω @2.5V

KML0D4N20V 부품의 다른 표기

사용 시 고려사항

• ·게이트 문턱 전압(Vgs(th))은 0.45~1V입니다. 구동 전압이 이보다 충분히 높아야 완전히 켜지므로, 로직 레벨(3.3V·5V) 구동 여부를 확인하는 것이 좋습니다.
• ·온저항(RDS(on))은 0.7Ω(@4.5V)입니다. 도통 시 이 저항에서 손실이 발생하므로, 400mA를 흘릴 경우 계산상 약 112mW의 도통 손실이 생깁니다.
• ·드레인-소스 전압(VDSS)은 20V, 드레인 전류는 400mA입니다. 실제 회로에서는 서지와 온도를 고려해 정격의 60~70% 이하로 사용하는 경우가 많습니다.
• ·소형 패키지라 고밀도 기판에 유리하지만, 손실이 큰 자리에서는 방열 여유를 확인하는 것이 좋습니다.

정확한 사양은 제조사 데이터시트를 확인해 주세요.

주요 응용 분야

자주 묻는 질문

MOSFET과 BJT(일반 트랜지스터)는 무엇이 다른가요?

이 제품은 MOSFET입니다. BJT는 베이스에 흘리는 전류로 제어하는 전류 구동 소자이고, MOSFET은 게이트에 거는 전압으로 제어하는 전압 구동 소자라 구동 회로가 단순하고 대기 손실이 작습니다. 도통 손실도 기준이 달라 BJT는 포화 전압(VCE(sat)), MOSFET은 온저항(RDS(on))으로 봅니다. 저속·소신호 증폭에는 BJT가, 고속 전원 스위칭에는 MOSFET이 쓰이는 경우가 많습니다.

온저항(RDS(on))은 왜 중요한가요?

MOSFET이 완전히 켜졌을 때 드레인-소스 사이에 남는 저항이 온저항(RDS(on))입니다. 전류가 흐르면 이 저항에서 I²R 만큼 열이 나므로, 온저항이 낮을수록 도통 손실과 발열이 줄어듭니다. 게이트 전압 조건에 따라 값이 달라져 데이터시트의 측정 조건과 함께 보는 것이 좋습니다. 이 제품은 0.7Ω(@4.5V)입니다.

게이트 전압은 얼마를 줘야 하나요?

게이트 문턱 전압(Vgs(th))은 전류가 흐르기 시작하는 경계값일 뿐, 그 값만 걸어서는 완전히 켜지지 않습니다. 데이터시트의 온저항 측정 조건(예: VGS=10V, 로직 레벨 제품은 4.5V)이 실제 권장 구동 전압에 가깝습니다. 이 제품의 Vgs(th)는 0.45~1V입니다.

트랜지스터 규격표는 어떻게 보나요?

정격 전압(VDSS)·정격 전류(ID)·허용 손실(PD)·온저항(RDS(on)) 순서로 보는 것이 일반적입니다. 전압·전류는 회로의 최대치보다 여유 있게, 온저항은 도통 손실과 발열을 좌우하므로 게이트 구동 전압 조건과 함께 확인합니다.

이 부품의 극성(핀 배열)은 어떻게 확인하나요?

핀 배열은 패키지 종류마다 다르고, 같은 패키지라도 품번에 따라 다를 수 있습니다. 몸체의 인쇄면을 기준으로 데이터시트의 핀 배열 그림과 대조하는 것이 가장 확실하며, 실장 전에 멀티미터의 다이오드 모드로 접합 방향을 확인하는 방법도 널리 쓰입니다.

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